полный цикл разработки сбис
разработка топологии сбис по схемотехнике или rtl коду заказчика
разработка сф-блоков
перевод имеющихся проектов из реализации на плис в сбис
выполнение работ по проверке топологии заказчика
запуск и сопровождение изготовления кристаллов по всем возможным маршрутам фабрик, с которыми сотрудничаем (mpw/mlm/full mask set);
предоставление полного комплекта средств проектирования по доступным процессам
SilTerra Malaysia Sdn. Bhd.
C11AL eFlash: КМОП процесс 110нм с использованием Al верхнего слоя межсоединения и возможностью использования eFlash.
C11H32: Высоковольтный КМОП процесс 110нм.
C11ALMR: КМОП процесс для радиочастоных схем 110нм.
C11G: Стандартный КМОП процесс 110нм.
C13AL: КМОП процесс 130нм с использованием Al верхнего слоя межсоединения
C13G: Стандартный КМОП процесс 130нм
C13H32: Высоковольтный КМОП процесс 130нм
C13MR: КМОП процесс для радиочастоных схем 130нм
C16G: Стандартные КМОП процесс 160нм
C16H32: Высоковольтный КМОП процесс 160нм
C18G: Стандартные КМОП процесс 180нм
C18GH5: Стандартные КМОП процесс 180нм с повышенным напряжением питания ячеек ввода/вывода
C18G eFlash: Стандартные КМОП процесс 180нм с возможностью использования eFlash
C18LP: КМОП процесс 180нм с низким потреблением
C18MR: КМОП процесс для радиочастоных схем 180нм
CL180BCDA: Процесс позволяют использовать три типа транзисторов на одном кристалле
(Биполяр/КМОП/ДМОП) 180нм
C18H32: Высоковольтный КМОП процесс 180нм
ГК «Микрон»
HCMOS8D: Высоковольтный КМОП процесс 180нм
SOI180: КМОП КНИ процесс 180нм
АО «Ангстрем»
